제조업체 제품 번호:
EPC2100ENGRT
Product Overview
제조사:
EPC
부품 번호:
EPC2100ENGRT-DG
설명:
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
상세 설명:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
재고:
12795218
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제출
EPC2100ENGRT 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
EPC
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
eGaN®
제품 상태
Active
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
구성
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
Die
공급업체 장치 패키지
Die
기본 제품 번호
EPC210
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
917-EPC2100ENGRDKR
917-EPC2100ENGRCT
917-EPC2100ENGRTR
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0040
DIGI 인증
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