제조업체 제품 번호:
EPC2110
Product Overview
제조사:
EPC
부품 번호:
EPC2110-DG
설명:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
상세 설명:
Mosfet Array 120V 3.4A Die
재고:
14435 새로운 원본 재고 있음
12795187
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제출
EPC2110 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
EPC
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
eGaN®
제품 상태
Active
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
구성
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
120V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.4A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 700µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
80pF @ 60V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
Die
공급업체 장치 패키지
Die
기본 제품 번호
EPC211
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
917-1152-6
917-1152-2
917-1152-1
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0040
DIGI 인증
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