제조업체 제품 번호:
2SA1319S-AA
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
2SA1319S-AA-DG
설명:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
재고:
3000 새로운 원본 재고 있음
12996844
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제출
2SA1319S-AA 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
700 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
160 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 25mA, 250mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
전력 - 최대
700 mW
빈도 - 전환
120MHz
작동 온도
150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
3-NP
추가 정보
다른 이름들
2156-2SA1319S-AA-600039
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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