제조업체 제품 번호:
BS170-D26Z
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
BS170-D26Z-DG
설명:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
상세 설명:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
재고:
146646 새로운 원본 재고 있음
12947065
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제출
BS170-D26Z 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
500mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
830mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSFSCBS170-D26Z
2156-BS170-D26Z
표준 패키지
3,143
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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