제조업체 제품 번호:
FCH25N60N
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FCH25N60N-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
상세 설명:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
7298 새로운 원본 재고 있음
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제출
FCH25N60N 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
SupreMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
216W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FAIFSCFCH25N60N
2156-FCH25N60N
표준 패키지
80
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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