제조업체 제품 번호:
FCH35N60
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FCH35N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
12954285
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제출
FCH35N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
-
시리즈
SuperMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
98mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6640 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
312.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
추가 정보
다른 이름들
2156-FCH35N60
FAIFSCFCH35N60
표준 패키지
76
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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