제조업체 제품 번호:
FDA16N50LDTU
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDA16N50LDTU-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
상세 설명:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
재고:
26720 새로운 원본 재고 있음
12946889
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제출
FDA16N50LDTU 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1945 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
205W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PN (L-Forming)
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDA16N50LDTU
FAIFSCFDA16N50LDTU
표준 패키지
190
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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