제조업체 제품 번호:
FDB8444
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDB8444-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
상세 설명:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
167141 새로운 원본 재고 있음
12947223
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDB8444 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
70A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
8035 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDB8444
FAIFSCFDB8444
표준 패키지
264
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
관련 상품
FDP10N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
HUF75542P3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
