제조업체 제품 번호:
FDB8876
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDB8876-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
상세 설명:
N-Channel 30 V 71A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
7486 새로운 원본 재고 있음
12817781
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제출
FDB8876 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
71A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
70W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDB8876-FSTR
FAIFSCFDB8876
표준 패키지
579
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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