제조업체 제품 번호:
FDD8770
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDD8770-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
상세 설명:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
90725 새로운 원본 재고 있음
12947634
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제출
FDD8770 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3720 pF @ 13 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
115W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDD8770
FAIFSCFDD8770
표준 패키지
742
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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