제조업체 제품 번호:
FDFMA2P859T
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDFMA2P859T-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
상세 설명:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
재고:
14392 새로운 원본 재고 있음
12901666
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제출
FDFMA2P859T 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
1.4W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
MicroFET 2x2 Thin
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
표준 패키지
1,110
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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