제조업체 제품 번호:
FDI8442
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDI8442-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
재고:
6224 새로운 원본 재고 있음
13077303
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제출
FDI8442 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Tube
시리즈
PowerTrench®
포장
Tube
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
12200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
254W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262 (I2PAK)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDI8442-FS
FAIFSCFDI8442
표준 패키지
197
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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