제조업체 제품 번호:
FDMS4435BZ
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDMS4435BZ-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
상세 설명:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
1500 새로운 원본 재고 있음
12946810
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제출
FDMS4435BZ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2050 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFDMS4435BZ
2156-FDMS4435BZ
표준 패키지
532
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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