FDS8882
제조업체 제품 번호:

FDS8882

Product Overview

제조사:

Fairchild Semiconductor

부품 번호:

FDS8882-DG

설명:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
상세 설명:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

재고:

56024 새로운 원본 재고 있음
12946847
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

FDS8882 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
940 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-FDS8882
ONSONSFDS8882
표준 패키지
825

환경 및 수출 분류

증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQU2N90TU-AM002

MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK

fairchild-semiconductor

FCPF36N60NT

MOSFET N-CH 600V 36A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7694

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1