제조업체 제품 번호:
FQA12N60
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FQA12N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
상세 설명:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
재고:
9750 새로운 원본 재고 있음
12904316
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQA12N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Tube
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
240W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3P
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FQA12N60-FS
FAIFSCFQA12N60
표준 패키지
189
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
FDU8770
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
