제조업체 제품 번호:
FQA9N90-F109
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FQA9N90-F109-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
상세 설명:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
재고:
398 새로운 원본 재고 있음
12947105
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제출
FQA9N90-F109 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
QFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
240W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PN
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기본 제품 번호
FQA9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FQA9N90-F109
ONSFSCFQA9N90-F109
표준 패키지
117
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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