제조업체 제품 번호:
FQP5N60C
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FQP5N60C-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
상세 설명:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
74950 새로운 원본 재고 있음
12946591
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQP5N60C 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
QFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FQP5N60C
ONSONSFQP5N60C
표준 패키지
417
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
FQPF8N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
IPP0400N
IPP0400N
AUIRFZ48N
MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB