제조업체 제품 번호:
NDH832P
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
NDH832P-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
상세 설명:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
재고:
73243 새로운 원본 재고 있음
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제출
NDH832P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.7V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
-8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SuperSOT™-8
패키지 / 케이스
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-DGH832P-FSTR-DG
FAIFSCNDH832P
2156-NDH832P
표준 패키지
807
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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