제조업체 제품 번호:
NDH8502P
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
NDH8502P-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 30V 2.2A SUPERSOT8
상세 설명:
Mosfet Array 30V 2.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
재고:
53427 새로운 원본 재고 있음
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제출
NDH8502P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
340pF @ 15V
전력 - 최대
800mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급업체 장치 패키지
SuperSOT™-8
기본 제품 번호
NDH8502
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FAIFSCNDH8502P
2156-NDH8502P
표준 패키지
468
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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