제조업체 제품 번호:
GPI65030DFN
Product Overview
제조사:
GaNPower
부품 번호:
GPI65030DFN-DG
설명:
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
상세 설명:
N-Channel 650 V 30A Surface Mount Die
재고:
100 새로운 원본 재고 있음
12997226
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제출
GPI65030DFN 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
GaNPower
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 3.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.8 nC @ 6 V
Vgs(최대)
+7.5V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
241 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Die
패키지 / 케이스
Die
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
4025-GPI65030DFNTR
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
Not applicable
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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