제조업체 제품 번호:
G3R350MT12J
Product Overview
제조사:
GeneSiC Semiconductor
부품 번호:
G3R350MT12J-DG
설명:
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
상세 설명:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
재고:
3807 새로운 원본 재고 있음
12977985
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
G3R350MT12J 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
GeneSiC Semiconductor
포장
Tube
시리즈
G3R™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.69V @ 2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
334 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
75W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263-7
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
기본 제품 번호
G3R350
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1242-G3R350MT12J
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
