제조업체 제품 번호:
G3R60MT07D
Product Overview
제조사:
GeneSiC Semiconductor
부품 번호:
G3R60MT07D-DG
설명:
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
상세 설명:
750 V Through Hole TO-247-3
재고:
2888 새로운 원본 재고 있음
12958893
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제출
G3R60MT07D 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
GeneSiC Semiconductor
포장
Tube
시리즈
G3R™
제품 상태
Active
FET 유형
-
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
750 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
-
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
+20V, -10V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1242-G3R60MT07D
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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