G11S
제조업체 제품 번호:

G11S

Product Overview

제조사:

Goford Semiconductor

부품 번호:

G11S-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
상세 설명:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

재고:

90000 새로운 원본 재고 있음
13001224
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

G11S 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs(최대)
±12V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
3.3W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOP
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

추가 정보

다른 이름들
4822-G11STR
표준 패키지
4,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
nexperia

BUK4D110-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

toshiba-semiconductor-and-storage

TW140N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M

littelfuse

IXFX130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU

goford-semiconductor

GT105N10T

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220