제조업체 제품 번호:
G120N03D32
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G120N03D32-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
상세 설명:
Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
재고:
4995 새로운 원본 재고 있음
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제출
G120N03D32 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1089pF @ 15V
전력 - 최대
20W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
공급업체 장치 패키지
8-DFN (3.15x3.05)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3141-G120N03D32CT
3141-G120N03D32TR
3141-G120N03D32DKR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0000
DIGI 인증
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