G130N06M
제조업체 제품 번호:

G130N06M

Product Overview

제조사:

Goford Semiconductor

부품 번호:

G130N06M-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
상세 설명:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

재고:

12993058
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제출

G130N06M 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
85W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
4822-G130N06MTR
표준 패키지
1,600

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0000

대체 모델

부품 번호
G130N06M
제조사
Goford Semiconductor
구매 가능 수량
780
부품 번호
G130N06M-DG
단가
0.32
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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