제조업체 제품 번호:
G2012
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G2012-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
상세 설명:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
재고:
3000 새로운 원본 재고 있음
13000381
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제출
G2012 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
Vgs(최대)
±10V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
1.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-DFN (2x2)
패키지 / 케이스
6-WDFN Exposed Pad
추가 정보
다른 이름들
4822-G2012TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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