제조업체 제품 번호:
G20P06K
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G20P06K-DG
설명:
P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
상세 설명:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252
재고:
1180 새로운 원본 재고 있음
12988125
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제출
G20P06K 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
45mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3430 pF @ 30 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
90W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
4822-G20P06KTR
3141-G20P06KCT
3141-G20P06KDKR
3141-G20P06KTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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