제조업체 제품 번호:
G29
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G29-DG
설명:
P15V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4
상세 설명:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount SOT-23
재고:
12864 새로운 원본 재고 있음
12978216
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제출
G29 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1151 pF @ 10 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
1.05W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3141-G29DKR
3141-G29TR
4822-G29TR
3141-G29CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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