G3035
제조업체 제품 번호:

G3035

Product Overview

제조사:

Goford Semiconductor

부품 번호:

G3035-DG

설명:

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23
상세 설명:
P-Channel 4.6A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23

재고:

117000 새로운 원본 재고 있음
12975045
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

G3035 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
1.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
4822-G3035TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.33.0001
DIGI 인증
관련 상품
goford-semiconductor

45P40

P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T

vishay-siliconix

SI4153DY-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

onsemi

NVMFS6H801NWFT3G

TRENCH 8 80V NFET

renesas-electronics-america

NP179N04TUK-E1-AY

AUTOMOTIVE MOS