제조업체 제품 번호:
GC20N65Q
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
GC20N65Q-DG
설명:
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
상세 설명:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 151W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
35 새로운 원본 재고 있음
12978369
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제출
GC20N65Q 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tube
시리즈
Cool MOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1724 pF @ 100 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
151W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
4822-GC20N65Q
3141-GC20N65Q
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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