제조업체 제품 번호:
GT025N06AM6
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
GT025N06AM6-DG
설명:
N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
상세 설명:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263-6
재고:
13004201
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제출
GT025N06AM6 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
170A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5058 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
215W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263-6
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3141-GT025N06AM6TR
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0000
DIGI 인증
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