제조업체 제품 번호:
IRFD213
Product Overview
제조사:
Harris Corporation
부품 번호:
IRFD213-DG
설명:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
상세 설명:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
재고:
5563 새로운 원본 재고 있음
12817576
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFD213 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
450mA (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
4-HVMDIP
패키지 / 케이스
4-DIP (0.300", 7.62mm)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HARHARIRFD213
2156-IRFD213-HC
표준 패키지
468
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
