제조업체 제품 번호:
RF1S50N06
Product Overview
제조사:
Harris Corporation
부품 번호:
RF1S50N06-DG
설명:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
상세 설명:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
재고:
2746 새로운 원본 재고 있음
12955141
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제출
RF1S50N06 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
131W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
표준 패키지
290
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
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