제조업체 제품 번호:
AIMBG120R020M1XTMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
AIMBG120R020M1XTMA1-DG
설명:
SIC_DISCRETE
상세 설명:
N-Channel 1200 V 104A (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
재고:
12988917
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제출
AIMBG120R020M1XTMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
104A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V, 20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+23V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2667 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
AEC-Q101
자격
Automotive
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-7-12
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
기본 제품 번호
AIMBG120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-AIMBG120R020M1XTMA1CT
448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R020M1XTMA1TR
SP005411511
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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