AUIRF1018ES
제조업체 제품 번호:

AUIRF1018ES

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

AUIRF1018ES-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

재고:

12798369
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제출

AUIRF1018ES 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
79A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001517308
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPB081N06L3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5151
부품 번호
IPB081N06L3GATMA1-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDB088N08
제조사
onsemi
구매 가능 수량
330
부품 번호
FDB088N08-DG
단가
1.12
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IXTA90N055T2
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXTA90N055T2-DG
단가
1.73
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BUK768R3-60E,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
626
부품 번호
BUK768R3-60E,118-DG
단가
0.74
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPB090N06N3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPB090N06N3GATMA1-DG
단가
0.44
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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