AUIRF2907ZS7PTL
제조업체 제품 번호:

AUIRF2907ZS7PTL

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

AUIRF2907ZS7PTL-DG

설명:

MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 75 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

재고:

12837302
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

AUIRF2907ZS7PTL 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
75 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 110A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7580 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001516558
표준 패키지
800

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPB120N08S404ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
994
부품 번호
IPB120N08S404ATMA1-DG
단가
1.66
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN3R9-60PSQ
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
5021
부품 번호
PSMN3R9-60PSQ-DG
단가
1.29
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDP050AN06A0
제조사
onsemi
구매 가능 수량
6627
부품 번호
FDP050AN06A0-DG
단가
1.14
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IXTP170N075T2
제조사
IXYS
구매 가능 수량
50
부품 번호
IXTP170N075T2-DG
단가
1.73
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDP047N08
제조사
onsemi
구매 가능 수량
4680
부품 번호
FDP047N08-DG
단가
1.45
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

FDS4072N3

MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO

onsemi

CPH6337-TL-W

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6CPH

infineon-technologies

BSC106N025S G

MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON

onsemi

FQD7P20TM_F080

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK