제조업체 제품 번호:
AUIRF9Z34N
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
AUIRF9Z34N-DG
설명:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
상세 설명:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
12802996
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제출
AUIRF9Z34N 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
68W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2166-AUIRF9Z34N-448
SP001521042
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF9Z34NPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
78565
부품 번호
IRF9Z34NPBF-DG
단가
0.32
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IRF9Z34PBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1262
부품 번호
IRF9Z34PBF-DG
단가
0.69
대체 유형
MFR Recommended
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