제조업체 제품 번호:
AUIRFR1018E
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
AUIRFR1018E-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
재고:
12841465
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제출
AUIRFR1018E 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
56A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
AUIRFR1018
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001522694
INFINFAUIRFR1018E
2156-AUIRFR1018E
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD50N06S409ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2309
부품 번호
IPD50N06S409ATMA2-DG
단가
0.44
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SUD50N06-09L-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5732
부품 번호
SUD50N06-09L-E3-DG
단가
1.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD70N6F3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2415
부품 번호
STD70N6F3-DG
단가
0.80
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK60S06K3L(T6L1,NQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1975
부품 번호
TK60S06K3L(T6L1,NQ-DG
단가
0.66
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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