제조업체 제품 번호:
BC859CE6327HTSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BC859CE6327HTSA1-DG
설명:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
재고:
4810 새로운 원본 재고 있음
12802289
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제출
BC859CE6327HTSA1 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
30 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
전력 - 최대
330 mW
빈도 - 전환
250MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
PG-SOT23
기본 제품 번호
BC859
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BC859CE6327HTSA1DKR
BC 859C E6327CT
BC859CE6327HTSA1TR
INFINFBC859CE6327HTSA1
BC 859C E6327
BC 859C E6327-DG
BC859CE6327HTSA1CT
BC 859C E6327DKR-DG
BC 859C E6327DKR
2156-BC859CE6327HTSA1
BC859CE6327
BC859CE6327XT
SP000010637
BC 859C E6327CT-DG
BC 859C E6327TR-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
PBSS5230T,215
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3000
부품 번호
PBSS5230T,215-DG
단가
0.07
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BC859B,215
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
9498000
부품 번호
BC859B,215-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FMMT589TA
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
23590
부품 번호
FMMT589TA-DG
단가
0.09
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BC807-40-7-F
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
226311
부품 번호
BC807-40-7-F-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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