BCR116E6393HTSA1
제조업체 제품 번호:

BCR116E6393HTSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BCR116E6393HTSA1-DG

설명:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23

재고:

12833051
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제출

BCR116E6393HTSA1 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
NPN - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
4.7 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
150 MHz
전력 - 최대
200 mW
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
PG-SOT23

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP000010750
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
PDTC143ZT,215
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
26395
부품 번호
PDTC143ZT,215-DG
단가
0.01
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
NSVMUN2233T1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
0
부품 번호
NSVMUN2233T1G-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
MMUN2233LT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
37448
부품 번호
MMUN2233LT1G-DG
단가
0.01
대체 유형
Direct
부품 번호
NSVMMUN2233LT3G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
8350
부품 번호
NSVMMUN2233LT3G-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RN1406,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
5427
부품 번호
RN1406,LF-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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