BDP949H6327XTSA1
제조업체 제품 번호:

BDP949H6327XTSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BDP949H6327XTSA1-DG

설명:

TRANS NPN 60V 3A SOT223-4
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10

재고:

12840541
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제출

BDP949H6327XTSA1 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
전력 - 최대
5 W
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4-10
기본 제품 번호
BDP949

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BDP 949 H6327
SP000748382
BDP949H6327XTSA1-DG
BDP 949 H6327-DG
448-BDP949H6327XTSA1TR
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075

대체 모델

부품 번호
DNLS350E-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
40075
부품 번호
DNLS350E-13-DG
단가
0.09
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
NSV60601MZ4T1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
819
부품 번호
NSV60601MZ4T1G-DG
단가
0.18
대체 유형
Direct
부품 번호
FZT651TC
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
3980
부품 번호
FZT651TC-DG
단가
0.21
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
2STN1360
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3977
부품 번호
2STN1360-DG
단가
0.14
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STN851
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1869
부품 번호
STN851-DG
단가
0.30
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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