제조업체 제품 번호:
BSB056N10NN3GXUMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
상세 설명:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
재고:
11611 새로운 원본 재고 있음
12802534
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제출
BSB056N10NN3GXUMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5500 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스
3-WDSON
기본 제품 번호
BSB056
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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