BSC017N04NSGATMA1
제조업체 제품 번호:

BSC017N04NSGATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSC017N04NSGATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
상세 설명:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

재고:

12829690
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

BSC017N04NSGATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 85µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
8800 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP000394684
IFEINFBSC017N04NSGATMA1
BSC017N04NS GTR
BSC017N04NS GDKR
BSC017N04NS GDKR-DG
BSC017N04NSGATMA1CT
BSC017N04NS G
BSC017N04NS GCT-DG
BSC017N04NSG
BSC017N04NS G-DG
BSC017N04NS GCT
2156-BSC017N04NSGATMA1
BSC017N04NS GTR-DG
BSC017N04NSGATMA1TR
BSC017N04NSGATMA1DKR
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDMS8460
제조사
onsemi
구매 가능 수량
23537
부품 번호
FDMS8460-DG
단가
1.12
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17307Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
3409
부품 번호
CSD17307Q5A-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
ISC017N04NM5ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
6300
부품 번호
ISC017N04NM5ATMA1-DG
단가
0.67
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
nexperia

PMN70XPX

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP

nexperia

BSS138PW,115

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

nexperia

BUK9Y19-75B,115

MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56

nexperia

PSMN026-80YS,115

MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56