BSC046N10NS3GATMA1
제조업체 제품 번호:

BSC046N10NS3GATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSC046N10NS3GATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
상세 설명:
N-Channel 100 V 17A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

재고:

12802639
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제출

BSC046N10NS3GATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 120µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4500 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-7
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSC046N10NS3GATMA1TR
SP000907922
BSC046N10NS3GATMA1DKR
BSC046N10NS3GATMA1CT
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDMS86150
제조사
onsemi
구매 가능 수량
21385
부품 번호
FDMS86150-DG
단가
1.69
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AON6282
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
AON6282-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD19532Q5B
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
6211
부품 번호
CSD19532Q5B-DG
단가
1.03
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSC050N10NS5ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3791
부품 번호
BSC050N10NS5ATMA1-DG
단가
1.30
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AON6290
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
7905
부품 번호
AON6290-DG
단가
1.19
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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