제조업체 제품 번호:
BSC067N06LS3GATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSC067N06LS3GATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
상세 설명:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
재고:
1255 새로운 원본 재고 있음
12799670
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제출
BSC067N06LS3GATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15A (Ta), 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 35µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5100 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-5
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
BSC067
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000451084
BSC067N06LS3 G
BSC067N06LS3 GINTR
BSC067N06LS3 GINTR-DG
BSC067N06LS3 GINDKR
2156-BSC067N06LS3GATMA1TR
BSC067N06LS3G
BSC067N06LS3GATMA1TR
BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3GATMA1DKR
BSC067N06LS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC067N06LS3 G-DG
BSC067N06LS3 GINCT-DG
BSC067N06LS3GATMA1CT
BSC067N06LS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC067N06LS3 GINDKR-DG
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
CSD18563Q5AT
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
19760
부품 번호
CSD18563Q5AT-DG
단가
0.61
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD18533Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
16540
부품 번호
CSD18533Q5A-DG
단가
0.50
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PJQ5462A_R2_00001
제조사
Panjit International Inc.
구매 가능 수량
2947
부품 번호
PJQ5462A_R2_00001-DG
단가
0.19
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD18533Q5AT
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
1946
부품 번호
CSD18533Q5AT-DG
단가
0.61
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN8R5-60YS,115
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
45930
부품 번호
PSMN8R5-60YS,115-DG
단가
0.45
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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