BSD316SNL6327XT
제조업체 제품 번호:

BSD316SNL6327XT

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSD316SNL6327XT-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
상세 설명:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

재고:

532 새로운 원본 재고 있음
12840527
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

BSD316SNL6327XT 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Cut Tape (CT)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 3.7µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
94 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT363-PO
패키지 / 케이스
6-VSSOP, SC-88, SOT-363

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSD316SNL6327HTSA1
BSD316SN L6327INTR-DG
BSD316SNL6327XTCT
BSD316SN L6327INTR
BSD316SN L6327INDKR
BSD316SN L6327INDKR-DG
BSD316SNL6327XTDKR
BSD316SN L6327-DG
BSD316SNL6327
SP000442462
BSD316SN L6327INCT-DG
BSD316SNL6327XTTR
BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
BSD316SNH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
30853
부품 번호
BSD316SNH6327XTSA1-DG
단가
0.06
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

HUFA76429S3S

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

onsemi

NVMFS5C430NWFT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

infineon-technologies

94-4762

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

onsemi

NTLUS4195PZTAG

MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN