제조업체 제품 번호:
BSG0810NDIATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSG0810NDIATMA1-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
상세 설명:
Mosfet Array 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
재고:
9870 새로운 원본 재고 있음
12801876
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제출
BSG0810NDIATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능
Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A, 39A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1040pF @ 12V
전력 - 최대
2.5W
작동 온도
-55°C ~ 155°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지
PG-TISON-8
기본 제품 번호
BSG0810
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSG0810NDIATMA1-DG
448-BSG0810NDIATMA1TR
SP001241674
448-BSG0810NDIATMA1CT
448-BSG0810NDIATMA1DKR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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