BSO080P03NS3EGXUMA1
제조업체 제품 번호:

BSO080P03NS3EGXUMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSO080P03NS3EGXUMA1-DG

설명:

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
상세 설명:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8

재고:

12798554
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제출

BSO080P03NS3EGXUMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.1V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6750 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.6W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-DSO-8
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSO080P03NS3EG
BSO080P03NS3EGXUMA1TR
BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E G
BSO080P03NS3E GDKR
BSO080P03NS3E G-DG
BSO080P03NS3E GTR-DG
2156-BSO080P03NS3EGXUMA1
IFEINFBSO080P03NS3EGXUMA1
BSO080P03NS3EGXUMA1DKR
BSO080P03NS3E GCT-DG
BSO080P03NS3EGXUMA1CT
SP000472992
BSO080P03NS3E GDKR-DG
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
SI4174DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
16514
부품 번호
SI4174DY-T1-GE3-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDS6670A
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
2525
부품 번호
FDS6670A-DG
단가
0.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMG4407SSS-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
20733
부품 번호
DMG4407SSS-13-DG
단가
0.17
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDS6680A
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2496
부품 번호
FDS6680A-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SQ4483BEEY-T1_GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
19900
부품 번호
SQ4483BEEY-T1_GE3-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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