제조업체 제품 번호:
BSP123L6327HTSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSP123L6327HTSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
재고:
12800677
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSP123L6327HTSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
370mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.8V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
70 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.79W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPP084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
