제조업체 제품 번호:
BSP129E6327
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSP129E6327-DG
설명:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
재고:
12828691
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제출
BSP129E6327 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
240 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
350mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
0V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 108µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
108 pF @ 25 V
FET 기능
Depletion Mode
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000011102
BSP129INCT
BSP129INTR
BSP129
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSP129H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4926
부품 번호
BSP129H6327XTSA1-DG
단가
0.29
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STN1NK80Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
649
부품 번호
STN1NK80Z-DG
단가
0.42
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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